Науковці Фуданьського університету в Шанхаї створили гібридний чип, який поєднує двовимірні модулі пам’яті товщиною в один атом із традиційною кремнієвою архітектурою. Про це повідомляє Notebookcheck, посилаючись на дослідження з журналу Nature.

Основою нової технології стала система Atom2Chip, яка дозволяє інтегрувати моношар дисульфіду молібдену безпосередньо на поверхню КМОН-чипа. Товщина цього матеріалу становить лише один атомний шар. Щоб уберегти його від пошкоджень, команда розробила спеціальну систему захисту та міжплатформену архітектуру, яка забезпечує зв’язок між двовимірними схемами й кремнієвою основою.

Створений прототип - це чип NOR-флеш-пам’яті обсягом 1 кілобайт, який працює на частоті 5 мегагерц. Він здатен виконувати операції читання, запису та стирання даних за зовнішніми командами, причому час програмування або очищення становить лише 20 наносекунд.

Інтеграція двовимірних матеріалів із кремнієвими структурами допомагає подолати фізичні обмеження подальшої мініатюризації напівпровідників. Адже традиційна кремнієва технологія вже досягла межі зменшення розмірів транзисторів, тоді як двовимірні матеріали відкривають перспективи для створення надтонких і потужних електронних компонентів.

За словами дослідників, ця технологія може стати основою для нового покоління процесорів і мікросхем, поєднуючи надзвичайну компактність із високою продуктивністю.

Нагадаємо, раніше повідомлялося, що Samsung у 2027 році випустить накопичувач нового покоління обсягом 512 ТБ.

Австралійський стартап випустив перший у світі біокомп’ютер

Новини від Корреспондент.net в Telegram та WhatsApp. Підписуйтесь на наші канали https://t.me/korrespondentnet та WhatsApp